黑色氧化锆半导体陶瓷结构件是以纳米氧化锆（ZrO₂）为基础材料，通过掺杂改性、精密加工及表面处理技术制成的高性能功能陶瓷元件。专为半导体制造、显示面板及光伏设备设计，具有高硬度（≥1200HV）、抗静电（表面电阻10⁴-10⁶Ω）、耐等离子体腐蚀及超低释气特性，可替代传统氧化铝陶瓷与金属材料，满足半导体设备对洁净度、精度与可靠性的极致要求。
核心优势
✅ 导电性可控：通过碳素/金属相掺杂，表面电阻10³-10¹⁰Ω可调，避免静电吸附微粒。
✅ 极致精度：CNC加工精度±0.002mm，表面粗糙度Ra≤0.05μm，适配纳米级工艺。
✅ 耐等离子腐蚀：氟基/氯基等离子体环境下腐蚀率＜0.1μm/100h，寿命提升5倍以上。
✅ 超高洁净度：无金属离子析出，通过SEMI F47粒子脱落测试（≤5颗/片@0.3μm）。
✅ 复杂结构成型：支持注塑成型/3D打印工艺，实现薄壁（≥0.2mm）、异形及多孔结构。
技术规格（可定制）
| 参数 | 规格详情 |
|---|---|
| 材质 | 钇稳定氧化锆（3Y/5Y-ZrO₂）、黑色导电氧化锆（碳素/金属掺杂） |
| 密度 | 6.0-6.2g/cm³ |
| 硬度 | 维氏硬度1200-1400HV |
| 抗弯强度 | ≥1000MPa（三点弯曲） |
| 热膨胀系数 | 10.5×10⁻⁶/°C（20-400°C，与不锈钢匹配） |
| 表面电阻 | 10³-10¹⁰Ω（可定制） |
| 尺寸范围 | 最大尺寸300×300×150mm，厚度0.2-50mm |
| 认证标准 | SEMI S2/S8、ISO 14644-1 Class 1、RoHS、UL 94 V-0 |
应用场景
- 半导体前端制造：
- 刻蚀机：腔室内衬、气体喷嘴、晶圆卡盘
- 薄膜沉积（PVD/CVD）：屏蔽环、基座、加热器托盘
- 光刻机：掩膜版支架、对准器陶瓷件
- 显示面板与封装：
- OLED蒸镀机：遮光板、传片机械手爪
- 探针台：探针卡陶瓷基板、测试插座
- 先进封装：TSV硅通孔绝缘环、RDL重布线层支架
- 光伏与电子：
- 光伏镀膜设备：导电辊、传输导轨
- 高功率器件：IGBT散热基板、射频微波窗口
为什么选择我们的黑色氧化锆结构件？
- 材料创新技术：
- 采用反应烧结与HIP（热等静压）工艺，实现99.5%致密度与均匀导电相分布。
- 表面镀覆类金刚石（DLC）涂层，摩擦系数降低至0.1，耐磨性提升8倍。
- 全流程品控：
- 100%通过氦质谱检漏（泄漏率＜5×10⁻¹⁰Pa·m³/s）、X射线杂质检测（分辨率≤10μm）。
- 提供SEM/EDS材料分析报告与等离子体腐蚀测试数据。
- 快速响应体系：
- 常规件7天交货，非标件15天交付，紧急订单72小时加急（需评估）。
- 全球技术支持：
- 提供FEA仿真优化、失效分析及设备适配性改造服务。
