核心优势
- 极端环境适应性
- 高温稳定性：1600°C持续工作（短期1800°C），热导率30 W/(m·K)，适用于高温热管理场景。
- 耐腐蚀性：抗98%浓硫酸、40%NaOH溶液（1000小时质量损失＜0.02%），耐受等离子体（Cl₂/CF₄）蚀刻。
- 精密加工能力
- 微米级精度：CNC研磨公差±0.005mm，激光打孔最小孔径0.1mm（深径比20:1）。
- 复杂结构成型：多腔体、异形槽、内螺纹一体化烧结（凝胶注模+等静压工艺）。
典型应用
- 半导体设备：晶圆传输机械臂、真空腔体绝缘支撑柱。
- 新能源装备：燃料电池双极板、锂电池烧结承烧架。
- 光学器件：激光谐振腔支架、高能射线屏蔽基座。
陶瓷基座：高精度与多功能集成
设计要点
- 电-热-力耦合设计
- 绝缘性能：体积电阻率＞10¹⁴ Ω·cm，介电强度15 kV/mm（1mm厚度）。
- 热匹配性：热膨胀系数6.5×10⁻⁶/°C（与钼/可伐合金兼容，避免热应力开裂）。
- 承载能力：抗压强度＞2500 MPa，表面粗糙度Ra≤0.1μm（减少摩擦损耗）。
- 功能扩展方案
- 金属化处理：钼锰法镀层（气密性焊料润湿角＜10°），支持金/银导线键合。
- 复合涂层：氮化铝（AlN）导热层、氧化钇（Y₂O₃）抗等离子涂层。
应用案例
- 功率模块基座：IGBT/DBC陶瓷衬底，导热率30 W/(m·K)，击穿电压20 kV。
- 传感器封装：MEMS压力传感器绝缘基板，介电损耗tanδ＜0.0002（1 MHz）。
- 射频器件：5G滤波器陶瓷载体，介电常数9.8±0.1（10 GHz高频稳定性）。
绝缘陶瓷：突破电气与热学瓶颈
关键性能指标
| 参数 | 氧化铝陶瓷（99.5%） | 氮化铝陶瓷 | 氧化铍陶瓷（注：限军用） |
|---|---|---|---|
| 体积电阻率 | 10¹⁴ Ω·cm | 10¹⁴ Ω·cm | 10¹⁵ Ω·cm |
| 介电常数（1MHz） | 9.8 | 8.8 | 6.7 |
| 热导率 | 30 W/(m·K) | 180 W/(m·K) | 250 W/(m·K) |
| 击穿强度 | 15 kV/mm | 20 kV/mm | 35 kV/mm |
应用场景
- 高压绝缘：真空断路器陶瓷外壳（耐压＞40 kV）、新能源汽车充电桩绝缘柱。
- 高频电路：射频微波窗口片（介电损耗＜0.0003）、雷达波导组件。
- 腐蚀环境：化工传感器密封衬套（抗H₂S/Cl₂气体渗透）。
