在5G基站GaN功放芯片、新能源汽车IGBT模块、高功率激光器等尖端领域，高导热氮化铝陶瓷片的散热效率直接决定设备功率密度极限。重庆及锋科技在8年研发中发现，真正实现氮化铝陶瓷片规模化应用必须攻克三大技术壁垒。
一、粉体纯度与晶界优化
氮化铝理论热导率可达320W/(m·K)，但实际商用产品普遍低于170W/(m·K)。我们通过以下技术突破实现热导率跃升：
- 采用碳热还原法提纯原料，氧含量控制在0.8wt%以下
- 引入钇/钙复合烧结助剂（比例5:1），使晶界玻璃相占比＜3vol%
- 晶粒尺寸突破8μm（常规工艺仅3-5μm）
实测1850℃气氛烧结后，陶瓷片轴向热导率达180W/(m·K)，较市面同类产品提升15%。
二、超薄精密加工技术
为满足半导体封装0.01mm厚度需求，创新开发多层流延成型工艺：
- 采用纳米级氮化铝浆料（D50=0.3μm）
- 在10万级洁净室进行0.05mm流延成型
- 层压后生坯密度＞62%
通过该工艺加工的0.12mm陶瓷基板，三点抗弯强度达480MPa（JIS R1601标准），可承载15kW/cm²热流密度冲击。
三、高可靠金属化方案
针对大功率器件焊接层剥离难题，我们开发梯度金属化技术：
- 第一层：磁控溅射钛/钨复合层（厚度0.8μm）
- 第二层：电镀镍层（厚度5μm，含磷量7wt%）
- 第三层：激光选区镀金（厚度0.2μm，粗糙度Ra0.05μm）
经300次-55℃~150℃热循环测试，金属层结合强度保持28MPa以上（SEMI G38标准），空洞率＜0.3%。
【行业实测数据】
- 某头部通信企业的5G基站PA芯片，采用0.25mm氮化铝陶瓷基板后，结温从128℃降至91℃
- 新能源汽车SiC模块用陶瓷散热片，连续工作2000小时后热阻仅上升2.3%
- 工业激光器陶瓷热沉，在30kW脉冲工况下，表面温差控制在1.8℃以内
【结语】
高导热氮化铝陶瓷片的技术突破，本质是材料学与精密制造技术的深度耦合。重庆及锋科技已建成从粉体提纯到精密加工的全产业链能力，累计交付氮化铝陶瓷件超800万片，产品通过AEC-Q200、IEC 61249等国际认证。现免费开放《高导热陶瓷选型指南》（含16种散热方案对比及热仿真模型），点击官网即刻获取定制化解决方案。
重庆及锋科技——用晶界级的控制，重新定义散热边界
