
防晶粒剥落关键技术:
- 晶界强化:
- 热等静压(HIP:1700℃/100MPa)消除微孔
- 晶粒尺寸控制3.2±0.5μm(ISO 6474要求)
- 抛光液配方:
- 碱性SiO₂溶胶(pH=10.5±0.2)
- 添加乙二醇(降低机械切削力30%)
- 动态监测:
- 在线白光干涉仪(每5min检测Ra值)
- 晶粒凸出阈值<0.15μm
质量达标数据:
- 磨损率:0.003mm³/百万次(优于ISO标准10倍)
- 寿命:>30年(模拟测试)
- 表面缺陷:<5个/平方厘米(SEM检测)